据悉
，致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模 。

据悉，而且为全球首创 ，最终形成一层没有 “拼接缝” 的高质量单晶薄膜（磊晶层）的工艺.

IQE首席执行官Jutta Meier指出：“我们已经成功达成目标，为 UltraRAM开发出可扩展的磊晶制程，UltraRAM仰赖磊晶技术，

报道指出，

结合DRAM内存、

据报道， 新一代内存UltraRAM已准备投入量产 资料保存能力长达千年" src="https://img.3dmgame.com/uploads/images/xiaz/20250829/1756445792_395700.jpg" />

UltraRAM被视为结合DRAM与NAND优点的新型存储器 ，主要是因为采用锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术获得突破 ，蓝宝石）这个 “原子模板” 上 ， 这个项目代表了一个独特机会，将帮助UltraRAM真正进入量产 。这次合作的成果是从大学研究迈向商业存储器产品之旅的转折点 。

ps.磊晶技术简单说就是在衬底（比如硅片 、NAND闪存优点的新一代内存——UltraRAM终于要来了， 顶: 9595踩: 3729